ITキャパチャージ(IT関連の練習問題）
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初級シスアド過去問題解答と解説
解答：ウ
フラッシュメモリ(flash memory)は、EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-only Memory)を改良した半導体メモリである。電気的に記憶内容を消去し、内容を書き換えることができる。EEPROMも電気的に記憶内容の消去や書き換えは可能である。ただし、記憶内容の一部を書き換えることはできない。
記憶内容の書き換えができる点ではRAM（Rrandom Access Memory）に似ているが、RAMは電源を切ると、記憶内容が失われる揮発性メモリーである。それに対して、フラッシュメモリーは、電源を切っても記憶内容を保持する不揮発性のメモリである。
フラッシュメモリーの特徴
- 電気的に記憶内容を消して内容を書き換えることができる
- 電源を切っても記憶内容を保持する不揮発性メモリである
紫外線で全内容を消して書き直せるメモリは、EPROM(erasable and programmable ROM)である。
データを速く読み出せるので，キャッシュメモリとしてよく用いられるのは、SRAM(Static RAM)である。
リフレッシュ動作が必要なメモリであり，主記憶に広く使われるのはDRAM(Dynamic RAM)である。DRAMは、時間の経過とともに記憶内容が失われる。これを防ぐために定期的に再書き込みを行う。これをリフレッシュという。
